Компания SK hynix сообщила о создании самых быстрых серверных модулей оперативной памяти DDR5 — они обладают скоростью 8000 МТ/с (или 8 Гбит/с). Это примерно на 80 % быстрее стандартных модулей DDR5-4800, применяемых в серверном сегменте. При этом производитель не разгонял саму память, но всё равно сделал модули чуть ли не вдвое быстрее.
Ключевой особенностью серверной памяти SK hynix DDR5-8000 является технология Multiplexer Combined Ranks (MCR), разработанная в сотрудничестве с компаниями Intel и Renesas. С помощью специального чипа, разработанного Renesas и выступающего в роли буфера данных, SK hynix обеспечила возможность одновременно задействовать два ранга памяти (чипы с обеих сторон модуля) для увеличения ширины канала данных до 128 бит вместо привычных 64 бит. Микросхема Renesas выступает промежуточным звеном между центральным процессором и модулем ОЗУ, как показано на схеме ниже.
Новая архитектура памяти предоставляет возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону центрального процессора по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без необходимости в увеличении частоты самих чипов памяти.
По словам вице-президента и генерального директора подразделения по разработке интерфейсов памяти в Renesas, Самира Куппахалли (Sameer Kuppahalli), разработка буфера данных заняла три года интенсивной работы. В Intel в свою очередь отмечают, что с нетерпением ждут применения технологии MCR будущими платформами Xeon. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, однако сроков начала массового производства памяти MCR DIMM пока не называет.
